由工业和信息化部电子第五研究所牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 015—2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》以及T/CASAS 016—2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》于2022年7月18日正式面向产业发布。
2020年12月，工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学、南方电网科学研究院有限责任公司、比亚迪半导体有限公司、国网智能电网研究院有限公司、中国电子科技集团集团第五十五研究所等多家单位启动标准的预研撰写工作，2021年4月正式在CASA立项，按照CASA标委会标准制定程序开展工作，经过起草组多轮线上论证与研讨、征集专家意见，2022年7月正式发布。
T/CASAS 015—2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法，评价器件在承受规定应力的条件下是否符合规定的循环次数。对于提升SiC MOSFET器件的可靠性评价与分析技术能力，支撑SiC MOSFET器件的可靠性改进具有重要意义。
【主要起草单位】
工业和信息化部电子第五研究所、江苏宏微科技股份有限公司、国网智能电网研究院有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、中国电子科技集团集团第五十五研究所、比亚迪半导体有限公司、深圳基本半导体有限公司、上海精密计量测试研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、西安交通大学、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【主要起草人】
陈媛、贺致远、来萍、路国光、姚天保、李金元、李尧圣、谢峰、成年斌、陈义强、黄云、刘奥、刘昌、徐新兵、吴海平、唐宏浩、刘伟鑫、李巍巍、王来利、乔良、徐瑞鹏。
T/CASAS 016—2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法，适用于SiC MOSFET分立器件，以源极和漏极之间的电压Vsd作为测试温敏参数的结壳热阻测试。
【主要起草单位】
工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、国网智能电网研究院有限公司、西安交通大学、东南大学、山东大学、南京航空航天大学、深圳基本半导体有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【主要起草人】
付志伟、侯波、周斌、陈思、杨晓锋、陈义强、陈媛、来萍、黄云、路国光、刘奥、郭怀新、李巍巍、李金元、李尧圣、王来利、刘斯扬、杨家跃、崔益军、唐宏浩、乔良、徐瑞鹏。
