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北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》T/CASAS 027-2023等五项团体标准

2023-07-19 16:51:38 来源:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

  各联盟成员单位:

  按照CASAS相关管理办法,团体标准T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》、T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》、T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》、T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》、T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》已遵照流程完成制定工作,现予以发布。

  标准编号及名称:

  T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》

  T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》

  T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》

  T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》

  T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》

  特此通知。

  第三代半导体产业技术创新战略联盟

  2023年6月26日

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