根据《中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准管理办法》的相关规定，现批准发布六项团体标准。标准编号和名称如下：
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1 |
T/IAWBS 008-2019 |
SiC晶片的残余应力检测方法 |
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2 |
T/IAWBS 009-2019 |
功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 |
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3 |
T/IAWBS 010-2019 |
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 |
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4 |
T/IAWBS 011-2019 |
导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 |
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5 |
T/IAWBS 012-2019 |
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法——共焦点微分干涉光学法 |
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6 |
T/IAWBS 013-2019 |
半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 |
上述六项标准自2019年12月27日发布，自2019年12月31日起实施。
现予公告!
附件：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准发布公告
