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T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法
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480.39 KB
语言:
中文版
格式:
PDF文档
类别:
综合团体标准
更新日期:
2022-09-19
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关键词:
验方
晶体管
氧化物
半导体
第三代半导体产业技术创新战略联盟
资源简介
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。
本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验。
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