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T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

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  • 语言：中文版
  • 格式： PDF文档
  • 类别：综合团体标准
  • 更新日期：2022-09-19
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资源简介
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。
本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压???作为测试温敏参数的结壳热阻测试。
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T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法资源截图
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