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> T/IAWBS 012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法
T/IAWBS 012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法
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大小:
1.56 MB
语言:
中文版
格式:
PDF文档
类别:
综合团体标准
更新日期:
2023-02-17
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关键词:
抛光片
密度
焦点
碳化硅
光学法
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
资源简介
本标准规定了4H 及6H 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法,表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。
本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片,抛光片直径为50.8mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm,厚度为300 μm~1000 μm。
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