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T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法

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  • 语言：中文版
  • 格式： PDF文档
  • 类别：综合团体标准
  • 更新日期：2023-02-17
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资源简介
本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。
本标准适用于200μm 到1000μm 厚的碳化硅单晶片。
本标准适用于电阻率0.005Ω·cm 到200Ω· cm 和表面电阻0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围。
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