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DB13/T 5695-2023 GaN HEMT射频器件陷阱效应测试方法

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  • 大小：637.05 KB
  • 语言：中文版
  • 格式： PDF文档
  • 类别：综合地方标准
  • 更新日期：2023-06-09
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关键词：射频   器件   陷阱   效应   DB13
资源简介
本文件规定了GaN HEMT射频器件陷阱效应的测试原理、测试环境、测试系统、测试步骤、试验数据处理。
本文件适用于GaN HEMT射频器件陷阱效应评估，GaN HEMT射频芯片、模块和晶圆级封装产品可参照使用。
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