石墨烯作为由sp2 杂化的碳原子键合而成的二维原子晶体, 其独特的能带结构和优
良的电学、热学和力学性质一直吸引着人们的广泛关注, 并有望在未来的半导体工业中得到
实际应用. 然而, 高质量石墨烯的大规模可控制备仍然存在着诸多挑战性的问题, 也是石墨
烯工业化应用的瓶颈所在. 化学气相沉积(CVD)技术在大面积生长高质量石墨烯方面拥有独
特的优势, 已成为石墨烯生长领域的主流技术. 我们近年来一直致力于发展石墨烯的CVD生
长方法, 通过对表面催化生长的基元步骤的设计与控制, 实现了对石墨烯的结构和层数的有
效调控, 并形成了CVD 生长的过程工程学指导思想. 本文从对石墨烯的CVD 生长机理的分
析入手, 系统介绍了我们开展的过程工程学研究, 并对该领域的未来发展趋势以及所面临的
机遇和挑战进行了简要的展望.
