种子层厚度对电镀厚镍速率及形貌影响的研究

镍是最常用的SiC干法刻蚀掩膜,其质量会直接影响刻蚀效果。为了探索不同厚度种子层对碳化硅表面电镀厚镍掩膜的影响,基于电镀原理,采用磁控溅射沉积金属金作为电镀镍种子层,并采用直流电流分别在其表面电镀制备镍膜,使用台阶仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜分别对电镀速率、粗糙度以及镀层侧壁形貌进行表征。结果表明:种子层厚度100~400 nm范围内,随着种子层厚度的增加,镀层表面粗糙度先增大再减小,镀层表面颗粒团聚尺寸逐渐增大,镀层电镀速率逐渐增大,边缘速率增大趋势更加显著,镀层侧壁倾角逐渐减小,镀层横向生长逐渐增加。其中100 nm种子层表面镀层厚度>20μm,粗糙度33.852 nm,侧壁倾角72.1°,结构裸露比92.5%,作为SiC刻蚀掩膜更优,为电镀制备厚镍掩膜工艺研究提供了方向。

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本文档关键词:电镀,速率,厚度,种子,形貌