电路板通孔电镀铜四硝基四氮唑蓝抑制剂的模拟研究

采用模拟与实验方法研究了四硝基四氮唑蓝(TNBT)抑制剂对柔性电路板浅通孔电镀铜的均镀能力(TP)的影响。首先采用分子动力学(MD)模拟研究了TNBT抑制剂在Cu(111)表面的吸附行为,进一步使用密度泛函理论(DFT)计算揭示了TNBT抑制剂的吸附机制,最后通过电镀实验探明了TNBT抑制剂对通孔电镀TP值的影响规律。结果表明:TNBT分子主要通过苯甲醚和硝基苯等活性位点与Cu(111)表面发生化学吸附作用;TNBT分子的吸附行为主要由其前沿分子轨道分布的官能团所主导;TNBT分子展现较强的铜沉积抑制作用,并显著提高浅通孔电镀的TP值。该抑制剂有效克服了传统添加剂过度依赖对流环境的缺点,能满足浅通孔的超高TP值电镀要求。

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本文档关键词:电路板,镀铜,抑制剂,硝基,研究