单层SnS_(2-x)Se_(x)合金的电子结构和光学性质

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究单层SnS2-xSex合金的电子结构和光学性质,并评估其作为光电材料的应用潜力。结果表明:随着Se含量增加,合金仍保持立方晶系,但带隙从2.14 eV降到1.33 eV;原因在于Se的4p轨道形成杂质能级,使带隙明显减小。随着Se含量增加,合金静态介电常数和虚部吸收值逐渐增大,且虚部主峰也发生不同程度的红移。相对Sn16S32合金而言,SnS2-xSex合金不仅拓宽了可见光区域内的吸收范围,也具有更强的可见光吸收能力,这为单层SnS2-xSex合金光电材料的发展提供了理论依据。

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本文档关键词:合金,性质,电子,单层,结构