半球谐振子低阻尼损耗金属化薄膜制备研究

针对磁控溅射工艺参数溅射功率、沉积时间(薄膜厚度)、基底温度对半球谐振子表面金属薄膜残余应力的影响情况进行工艺实验研究,通过X射线衍射法测试其应力,在保证金属薄膜低残余应力的基础上得到最优工艺参数:溅射速率0.9nm/s,沉积时间111s(薄膜厚度100nm),基底温度75℃。根据最优参数组合得到厚度100nm的金属薄膜,通过拉力测试实验,胶带在从薄膜表面拉开的过程中剥离强度为2.81N/cm2,大于2.74N/cm2,未出现薄膜剥落现象,满足光学薄层通用规范的国家标准。

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本文档关键词:半球,损耗,制备,薄膜,谐振子