SiC压阻式压力传感器欧姆接触制备工艺及性能研究

SiC压阻式压力传感器是解决飞行器表面高温脉动压力原位测量的重要测试工具,为了提高传感器性能、降低敏感芯片金属—半导体接触阻抗,本文对n型4H–SiC欧姆接触的制备工艺及性能进行了研究。采用离子注入工艺对SiC基片进行了磷(P)离子注入,根据蒙特卡洛模型,采用SRIM软件对注入工艺进行仿真设计,实现n型重掺杂。金属电极采用复合金属层Ta/Ni/Pt,通过超高温真空退火工艺对4H–SiC欧姆接触进行退火处理并对其工艺参数进行了优化。对欧姆接触的电学特性进行I–V测试,采用四探针法对欧姆接触的比接触阻率ρc进行表征。结果表明,磷离子注入浓度为3×1020cm-3,欧姆接触退火温度1000℃且保持20 min的工艺条件可实现良好的SiC欧姆接触。测试得到其比接触阻率ρc为4.64×10-5Ω·cm2,且600℃高温结果相比于20℃结果的变化率为6%。证明该欧姆接触具有低接触阻抗和良好的温度稳定性。该欧姆接触制备工艺有助于改善SiC压阻式压力传感器技术指标,如减小热零点漂移等参数,提高传感器的全温稳定性。

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本文档关键词:欧姆,制备,接触,压力传感器,研究