DC_AC纳米片器件的自加热效应仿真
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本文基于Sentaurus TCAD软件对纳米片器件进行建模,系统研究了其在直流偏压、器件结构变化及交流偏压条件下的自加热效应及其影响机制。仿真结果显示,在直流偏压下,自加热效应导致器件开态电流下降,最大晶格温度可达480.49K;随着纳米片宽度和厚度的增大,开态电流和最大晶格温度均有所提升。在交流偏压下,器件晶格温度随栅极电压升高而增加,并在脉冲持续约150ps时达到热平衡,同时可在相同时间尺度恢复至环境温度。在多个脉冲循环作用下,器件晶格温度呈持续上升趋势,表现出明显的热量积累效应。本研究为纳米片器件的热管理设计及高频工作可靠性分析提供了理论参考。
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本文档关键词:器件,仿真,加热,纳米,效应