基于0．18μmCMOS工艺的0．1-2GHz宽带功率放大器芯片

本文介绍了一种基于0.18μm CMOS工艺的0.1–2 GHz宽带射频功率放大器(PA)。该PA采用了双级、晶体管堆叠放大器结构结合电阻匹配和负反馈技术,可以在较小的芯片面积内实现良好的功率增益、增益平坦度和宽带匹配特性。实测结果表明,在5 V供电时,该PA可以在0.1–2 GHz频段内实现18.1±0.6 dB的增益、优于10.5 dB的输入匹配、优于12.6 dB的输出匹配、12%的功率附加效率和优于20 dBm的输出功率。该PA芯片面积仅占用0.52 mm^2,是目前作者所知覆盖该频段并同时实现上述指标的最小面积的CMOS PA芯片。

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本文档关键词:芯片,功率放大器,宽带,18,mCMOS