声表面波器件用SiO_2_ZnO_金刚石_Si多层结构制备

为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄膜的沉积速率不断加快,薄膜的表面粗糙度不断增大;ZnO薄膜中的原子摩尔分数比随O_2输入量的减少而逐渐接近理想的1∶1。不同氩氧比下制备的ZnO薄膜均呈(002)面择优取向生长,其中在氩氧比7∶1时,获得了具有细小柱状晶特征、C轴择优取向程度较高的ZnO薄膜。采用最优的ZnO和SiO_2薄膜沉积工艺,在金刚石/Si衬底获得了具有清晰界面的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构。

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本文档关键词:金刚石,器件,制备,多层,表面波