SiC衬底精密抛光分子动力学模拟研究进展

化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是SiC衬底平坦化的关键技术,目前针对CMP工艺已有大量研究,但磨粒、溶液介质与SiC表面协同作用的机理并不明确。分子动力学(molecular dynamics,MD)模拟是基于牛顿运动定律和量子力学原理,用于揭示物质微观结构和性质之间相互作用的模拟方法,目前被广泛应用于SiC表面去除机理研究。首先分析SiC精密抛光MD模拟常用的势函数,并总结其应用领域,然后对现有的SiC化学机械抛光MD模拟研究进行整合分析。结果表明:Tersoff势函数在机械行为方面的研究中应用较多,而研究SiC表面化学反应和吸附行为使用ReaxFF较多。SiC衬底精密抛光的MD模拟主要分为3类:SiC材料性能、磨粒磨削、SiC表面化学反应。目前大部分研究集中于磨粒与SiC表面的机械行为作用,而对化学反应机理的研究相对较少。未来研究的重点在于利用ReaxFF通过MD模拟研究SiC在各种条件下的反应机理,构建更多势函数以适应不同抛光条件,建立综合模型考虑多种因素对表面相互作用的影响。

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本文档关键词:抛光,精密,分子,衬底,研究进展