SiC晶片减薄用金属间化合物黏结剂金刚石砂轮制备及性能

与Si基材料相比,SiC因其导热性好、击穿电场强度高和禁带宽度大等特性成为芯片制造的理想基底材料。但SiC晶片莫氏硬度高达9.5,磨削困难。实现SiC晶片的减薄加工,降低加工成本,提高SiC晶片的加工质量,成为半导体行业亟待解决的问题。采用Cu3Sn和Cu6Sn5金属间化合物为黏结剂,制备面向SiC晶片粗磨和精磨减薄的金刚石砂轮。结果表明:金刚石砂轮能够适用于SiC晶片的减薄加工,制备的M5/10金刚石粗磨砂轮减薄6英寸(15.24 cm)SiC晶片的磨耗比达1.0∶5.0,SiC晶片表面粗糙度为0.011μm;制备的M1/2金刚石精磨砂轮减薄同种SiC晶片,其磨耗比为1.0∶0.6,SiC晶片表面粗糙度达2.076 nm,总厚度变化RTTV<3.00μm。金刚石砂轮的减薄效果良好,可满足工业生产需要。

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本文档关键词:晶片,制备,化合物,金属,黏结