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T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法

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语言：中文版
格式： PDF文档
类别：综合团体标准
更新日期：2023-11-17

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资源简介

本文件描述了射频GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)外延片的二维电子气迁移率非接触Hall 测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。
本文件适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT 外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100cm2⁄V∙s～20000 cm2⁄V∙s。该方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT 结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。

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