欢迎访问学兔兔标准下载网，学习、交流 分享 ！

返回首页 |
当前位置: 首页 > 团体标准>综合团体标准 > T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法

T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法

收藏
  • 大小：606.67 KB
  • 语言：中文版
  • 格式： PDF文档
  • 类别：综合团体标准
  • 更新日期：2023-02-17
本站推荐： 升级会员 无限下载,节约时间成本！
资源简介
本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。
本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
下载地址
点击进入下载地址列表
T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法资源截图
上一篇: T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
下一篇: T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
立即下载

推荐信息

T/GIA 003-2020 县市(地)级城市生态环境保护规划编制指南
T/TAF 077.17-2021 APP收集使用个人信息最小必要评估规范 身份信息
T/CHEAA 0014-2020 电动冲牙器
T/CFLP 0027-2020 国有企业采购管理规范
T/CNITA 09102-2018 卫生棉条
T/CAQI 169-2021 无人船船载水质监测系统
T/CSAE 162-2020 乘用车悬架系统台架试验性能要求及方法
T/CAQI 76-2019 石英质玉（金丝玉） 鉴定与分类
T/ZZB 2081-2021 蓄电池平衡重式叉车
T/ZZB 0263-2017 风力发电用高强度螺栓、螺母和垫圈