T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

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语言：中文版
格式： PDF文档
类别：综合团体标准
更新日期：2023-02-17

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资源简介

本标准规定了碳化硅(4H-SiC)外延层载流子浓度的测定方法—--汞探针电容-电压法。
本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量,要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度,载流子浓度测量范围为:1文10h em-~5×1011cm-3。
本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。

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