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T/CASAS 004.1-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语

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  • 大小：1.21 MB
  • 语言：中文版
  • 格式： PDF文档
  • 类别：综合团体标准
  • 更新日期：2022-09-19
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资源简介
本标准规定了4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语和定义，其中包括4H-SiC材料、缺陷共性用语、衬底缺陷、外延层缺陷以及工艺缺陷五部分，其中工艺缺陷包括抛光（CMP）、离子注入、高温退火与氧化等相关工艺产生的缺陷。
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