本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。
本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。
标准号：GB/T 43612-2023
标准名称：碳化硅晶体材料缺陷图谱
英文名称：Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
起草人：丁雄杰 刘薇 韩景瑞 贺东江 李素青 丁晓民 张红 李焕婷 张红岩 杨昆 李斌 尹浩田 高伟 路亚娟 佘宗静 王阳 钮应喜 晏阳 姚康 金向军 吴殿瑞 李国鹏 张新峰 赵丽丽 张胜涛 夏秋良 李国平
起草单位：广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
