国际电气工程先进技术译丛 嵌入式系统中的辐射效应
作者：（法）拉乌尔·委拉兹克 著
出版时间：2017
丛编项： 国际电气工程先进技术译丛
内容简介
本书由法国TIMA实验室的RaoulVelazco、法国波尔多第壹大学的PascalFouillat和巴西南里奥格兰德联邦大学的RicardoReis共同编著，从环境、效应、测试、评价、加固和预计等方面全面详细介绍了嵌入式系统中的辐射效应，主要内容包括空间辐射环境、微电子器件中的辐射效应、电子器件的在轨飞行异常、多层级故障效应评估、基于脉冲激光的单粒子效应测试和分析技术、电路的加固方法及自动化工具、辐射效应试验测试设备以及数字架构的错误率预计方法等。本书内容全面、丰富且针对性强，覆盖了电子器件及系统辐射效应的方方面面。区别于其他电子系统辐射效应论著，本书从工程化的角度论述空间辐射效应评估、地面模拟、软错误率预计等技术以及国际上目前先进的研究方法论，同时兼具基础性和理论性。本书适合专业从事电子器件及系统辐射效应研究的科研人员和工程化应用的技术人员阅读和借鉴；同时，也可为该领域的“新人”（如研究生）提供必备的基础知识。
目录
译者序
原书前言
第１章 空间辐射环境１
１.１ 空间辐射效应１
１.１.１ 空间辐射环境：范艾伦带、太阳耀斑、太阳风和宇宙射线１
１.１.２ 剂量效应：产生原因、对电子器件的影响、辐射强度４
１.１.３ 位移效应：产生原因、对电子器件的效应、辐射强度５
１.１.４ 重离子效应：产生原因、对电子器件的效应、辐射强度５
１.１.５ 质子效应：产生原因（直接或间接）、对电子器件的效应、辐射强度６
１.２ 其他效应７
１.２.１ 原子氧：来源和效应７
１.２.２ 太阳紫外线：来源和效应７
１.２.３ 微流星体：来源和效应８
１.２.４ 轨道碎片：来源和效应８
参考文献９
第２章 微电子器件的辐射效应１０
２.１ 引言１０
２.１.１ 长期效应１０
２.１.２ 瞬态效应１１
２.２ ＭＯＳ器件１２
２.２.１ 阈值电压漂移１２
２.２.２ 退化效应１４
２.２.３ 亚阈斜率１５
２.２.４ ＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流１５
２.３ 双极型器件１７
２.３.１ 简介１７
２.３.２ 电流成分１７
２.３.３ 射－基间耗尽区的复合效应１８
２.３.４ 中立基区的复合效应１８
２.３.５ 电流增益１９
２.４ 单粒子效应２０
２.４.１ 引言２０
２.４.２ 仿真方法２１
２.４.３ 器件级效应２２
第３章 电子器件的飞行异常２６
第４章 多层级故障效应评估６１
第５章 模拟和混合信号电路的辐射效应７９
第６章 单粒子翻转的脉冲激光测试技术基础１０６
第７章 ＡＳＩＣ电路的设计加固方法１２５
第８章 可编程电路的错误容差１４０
第９章 用于加固设计的自动化工具１５８
第１０章 ＳＥＥ和总剂量试验测试设备１７7
第１１章 数字架构的错误率预计：测试方法学和工具２０４
第１２章 基于ＳＥＥＭ 软件的激光ＳＥＴ测试和分析２２6
