纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化
作者： 靳松，韩银和著
出版时间：2019年版
内容简介
本书主要涉及在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应——负偏置温度不稳定性和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响，并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。
目录
目录
第1章绪论
1．1工艺偏差
1．2NBTI效应
1．3章节组织结构
第一部分电路级参数偏差分析和优化
第2章国内外研究现状
2．1硅前老化分析和预测
2．1．1反应扩散模型
2．1．2基于额定参数值的NBTI模型
2．1．3考虑工艺偏差的老化统计模型和分析
2．2在线电路老化预测
2．2．1基于时延监测原理的在线老化预测方法
2．2．2超速时延测试
2．2．3基于测量漏电变化原理的在线老化预测方法
2．3相关的优化方法
2．3．1电路级优化
2．3．2体系结构级优化
第3章面向工作负载的电路老化分析和预测
3．1老化分析和预测方法概述
3．2关键通路和关键门的识别
3．2．1潜在关键通路识别
3．2．2潜在关键通路的精简
3．2．3关键门的识别
3．3占空比的求解
3．3．1时延约束
3．3．2占空比取值约束
3．4实验及结果分析
3．5本章小结
第4章电路老化的统计预测和优化
4．1硅前电路老化的统计预测和优化
4．1．1门级老化统计模型
4．1．2统计关键门的识别
4．1．3门设计尺寸缩放算法
4．1．4实验及结果分析
4．2硅前和硅后协同的电路老化统计分析和预测
4．2．1方法概述
4．2．2目标通路的识别
4．2．3硅后学习
4．2．4实验及结果分析
4．3本章小结
第5章在线电路老化预测
5．1基于时延监测原理的在线电路老化预测方法
5．1．1双功能时钟信号生成电路
5．1．2抗工艺偏差影响的设计考虑
5．1．3实验及结果分析
5．1．4本节小结
5．2基于测量漏电变化原理的在线电路老化预测方法
5．2．1漏电变化与时延变化之间相关性的刻画
5．2．2漏电变化的测量
5．2．3实验及结果分析
5．2．4本节小结
第6章多向量方法优化电路老化和漏电
6．1单独优化NBTI效应导致的电路老化
6．1．1控制向量的生成
6．1．2最佳占空比的求解
6．1．3硬件实现
6．1．4实验及结果分析
6．2电路老化和静态漏电的协同优化
6．2．1协同优化模型
6．2．2最佳占空比的求解
6．2．3实验及结果分析
6．3本章小结
第二部分系统级参数偏差分析和优化
第7章参数偏差在系统级的表现和影响
7．1参数偏差对于多核处理器性能的影响
7．2基于电压/频率岛的全局异步局部同步设计方法
第8章相关的国内外研究现状
8．1系统级偏差建模和分析方法
8．2基于全局异步局部同步设计的系统级偏差优化方法
第9章参数良品率感知的多处理器片上系统能耗统计优化方法
9．1背景知识介绍
9．1．1目标平台与应用
9．1．2能耗模型
9．1．3延迟模型
9．1．4统计任务调度
9．2统计能耗优化方法
9．2．1问题归纳
9．2．2优化方法概述
9．2．3统计偏差模拟
9．2．4统计能耗优化
9．2．5统计任务调度和操作电压配置
9．2．6统计电压/频率岛划分
9．3实验数据及分析
9．3．1实验环境
9．3．2实验结果
9．4本章小结
第10章面向三维多核片上系统的热感知硅后能耗优化方法
10．1背景知识介绍
10．1．1目标平台与应用
10．1．2面向三维SoC的能耗模型和延迟模型
10．1．3三维热模型
10．1．4面向三维芯片的统计偏差模拟
10．2优化框架
10．2．1能效感知的任务调度
10．2．2任务迁移算法
10．3实验结果及分析
10．3．1实验配置及说明
10．3．2实验结果
10．4结论
参考文献
