集成电路芯片制造
出版时间：2018年版
内容简介
本书共11章，内容包括集成电路芯片制造概述、衬底材料硅晶片结构及制备、常见微电子器件的结构、集成电路芯片的制造工艺、硅片的沾污与清洗、光刻工艺、刻蚀工艺、掺杂工艺、薄膜生长工艺、表面钝化等，从理论到工艺方法进行了详细介绍。最后用集成电路芯片生产实例将各工艺环节串联起来，给读者一个完整的工艺概念。同时各章配了真实的生产操作视频，用二维码链接，帮助学生从理论到实践的认知。 本书可作为微电子专业本科及大专教材，也可作为微电子专业教师或技术人员入职培训用书，还可作为微电子技术人员的参考用书。
目录
第1章概述
1.1微电子器件发展历程
1.1.1电子管的诞生
1.1.2晶体管的诞生
1.1.3集成电路时代
1.2衬底材料的制备
1.3微电子技术发展现状
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第2章衬底材料
2.1常用半导体材料
2.1.1元素半导体材料
2.1.2化合物半导体材料
2.2硅单晶制备技术
2.3硅中的晶体缺陷
2.4硅片制备
2.4.1整型处理
2.4.2单晶切割
2.4.3研磨
2.4.4刻蚀和抛光
2.4.5清洗
2.4.6硅片检查及包装
2.5砷化镓晶体生长技术简介
2.6质量控制
2.7小结
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第3章微电子器件结构
3.1微芯片中的电阻器
3.2微芯片中的电容器
3.3微芯片中的晶体管
3.3.1标准双极型工艺二极管
3.3.2基于CMOS工艺和BiCMOS工艺的二极管
3.3.3标准双极型工艺三极管
3.3.4基于CMOS工艺和BiCMOS工艺的三极管
3.3.5MOS晶体管
3.4小结
参考视频
第4章芯片制造工艺
4.1双极型工艺
4.2CMOS工艺
4.3BiCMOS工艺
4.4小结
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第5章半导体制造中的沾污控制
5.1沾污对器件性能的影响
5.2沾污的类型
5.3沾污的控制
5.3.1环境的控制
5.3.2工艺控制
5.3.3硅片湿法清洗实例分析
5.3.4常用金属材料和器皿的清洗
5.4小结
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第6章光刻工艺
6.1光致抗蚀剂
6.2光学光刻工艺原理
6.2.1气相成底膜
6.2.2涂胶和前烘
6.2.3对准和曝光
6.2.4显影和坚膜
6.3其他曝光技术简介
6.4质量控制
6.5小结
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第7章刻蚀工艺
7.1刻蚀参数
7.1.1刻蚀速率
7.1.2刻蚀剖面
7.1.3刻蚀偏差
7.1.4刻蚀选择比
7.1.5刻蚀残留物
7.2湿法化学腐蚀
7.2.1硅和多晶硅的腐蚀
7.2.2二氧化硅的腐蚀
7.2.3氮化硅的腐蚀
7.2.4铝和铝合金的腐蚀
7.3干法化学刻蚀
7.3.1刻蚀机理
7.3.2等离子体刻蚀系统
7.3.3介质干法刻蚀
7.3.4硅和多晶硅的干法刻蚀
7.3.5金属的干法刻蚀
7.4光刻胶的去除
7.4.1湿法去胶
7.4.2干法去除
7.5刻蚀质量控制
7.6小结
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第8章掺杂工艺
8.1掺杂工艺概述
8.2扩散原理及方法
8.2.1扩散原理
8.2.2扩散方法
8.3横向扩散
8.4扩散质量控制
8.5离子注入工艺原理
8.5.1离子注入机
8.5.2注入离子在晶格中的运动
8.5.3离子注入的杂质分布
8.5.4沟道效应
8.6注入损伤和退火
8.7注入质量控制
8.8小结
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第9章薄膜生长工艺
9.1二氧化硅膜的制备
9.1.1二氧化硅膜的用途
9.1.2二氧化硅膜的结构及性质
9.1.3高温制备二氧化硅薄膜的方法
9.1.4热氧化过程中杂质再分布
9.1.5二氧化硅薄膜的质量控制
9.1.6化学气相淀积(CVD)制备二氧化硅膜
9.2多晶硅(POS)介质膜的制备
9.3氮化硅(Si3N4)介质薄膜
9.4外延生长技术
9.4.1硅气相外延的生长机理
9.4.2硅气相外延生长速率
9.4.3硅气相外延层中的掺杂
9.4.4硅气相外延生长过程中的二级效应
9.5氯化氢气相抛光
9.6典型硅气相外延工艺
9.7外延层质量控制
9.8小结
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第10章表面钝化
10.1SiSiO2系统
10.1.1SiSiO2系统中的电荷
10.1.2SiSiO2系统中的电荷对器件性能的影响
10.1.3SiSiO2结构性质的测试分析
10.2主要的钝化方法
10.2.1集成电路钝化的一般步骤
10.2.2掺氯氧化
10.2.3磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)钝化
10.2.4氮化硅(Si3N4)钝化膜
10.2.5氧化铝(Al2O3)钝化膜
10.2.6聚酰亚胺(PI)钝化膜
10.3钝化膜质量控制
10.4小结
参考视频
第11章集成电路芯片生产实例： 双极型集成电路芯片的制造
思考
参考文献
