半导体工艺与测试实验

半导体工艺与测试实验
作者：谢德英 编
出版时间： 2015年版
内容简介
　　《半导体工艺与测试实验》主要内容包括半导体工艺的6个主要单项实验、半导体材料特性表征与器件测试实验、工艺和器件特性仿真实验.并通过综合流程实验整合各单项实验知识和技能，着重培养学生的半导体器件的综合设计能力.
目录
前言
第1章绪论1
1.1实验目的1
1.2实验要求1
1.3洁净室简介2
1.4实验室安全与注意事项3
第2章半导体工艺实验6
2.1光掩模版介绍6
2.2工艺流程介绍10
2.3硅片清洗实验21
2.4热氧化工艺实验24
2.5光刻工艺实验35
2.6湿法刻蚀工艺实验42
2.7磷扩散工艺实验45
2.8金属蒸镀工艺实验48
第3章半导体材料与器件特性表征实验53
3.1高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命实验53
3.2四探针法测量硅片电阻率与杂质浓度实验62
3.3半导体材料的霍尔效应测量实验77
3.4pn结的电容—电压（C-V）特性测试实验84
3.5双极型晶体管的直流参数测试实验92
3.6薄膜晶体管器件电学特性测试实验108
3.7MOS结构的Si-SiO2界面态密度分布测量实验115
第4章综合实验121
4.1半导体仿真工具SILVACO TCAD介绍121
4.2工艺仿真的基本操作154
4.3PMOS器件工艺仿真实验167
4.4半导体器件物理特性仿真168
4.5半导体器件设计实验173
4.6半导体器件制备和特性测试实验178
参考文献183