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模拟电子技术(第二版)[(美)Robert L.Boylestad]

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资源简介
模拟电子技术(第二版)
出版时间: 2016
内容简介
  本书内容包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编,精简了内容,突出了重点,补充了必要知识点,内容更加新颖和系统化,反映了器件和应用的发展趋势,强调了系统工程的概念。
目录
第1章半导体二极管1.1概述1.2半导体材料:锗、硅和砷化镓1.3共价键和本征材料1.4掺杂材料:n型材料和p型材料1.5半导体二极管1.6理想特性与实际特性1.7电阻水平1.8二极管等效电路1.9势垒电容和扩散电容1.10反向恢复时间1.11二极管规格表1.12半导体二极管符号1.13齐纳二极管1.14发光二极管1.15小结1.16计算机分析习题第2章二极管应用2.1概述2.2负载线分析2.3等效模型分析2.4与/或门2.5正弦波输入、半波整流2.6全波整流2.7限幅电路2.8钳位电路2.9齐纳二极管2.10小结习题第3章双极性结型晶体管3.1概述3.2晶体管的结构3.3晶体管的工作原理3.4共基组态3.5晶体管放大原理3.6共射组态3.7共集组态3.8晶体管的工作限3.9晶体管规格说明书3.10晶体管外形及引脚识别3.11小结习题第4章BJT电路直流偏置4.1概述4.2工作点4.3固定偏置电路4.4射极偏置4.5分压式偏置4.6电压反馈式直流偏置4.7其他偏置电路4.8晶体管开关电路4.9pnp型晶体管4.10偏置的稳定性4.11小结习题第5章BJT交流分析5.1概述5.2交流放大5.3BJT管建模5.4re晶体管模型5.5混合等效模型5.6混合π模型5.7晶体管参数的变化5.8固定偏置共射放大电路5.9分压式偏置共射放大电路5.10射极偏置共射放大电路5.11射极跟随电路5.12共基电路5.13集电极反馈电路5.14集电极直流反馈电路5.15电流放大倍数的确定5.16RL和RS的影响5.17双端口网络方法5.18总结表5.19级联系统5.20达林顿复合管5.21反馈对复合管5.22镜像电流源电路5.23电流源电路5.24简化混合等效模型5.25小结习题第6章场效应晶体管6.1概述6.2结型场效应管的构造和特性6.3转移特性6.4规格清单(结型场效应管)6.5重要关系6.6耗尽型MOS场效应管6.7增强型MOS场效应管6.8互补型MOS场效应管6.9总结表6.10小结习题第7章场效应管的偏置7.1概述7.2固定偏置电路7.3自偏置电路7.4分压偏置电路7.5耗尽型MOSFET7.6增强型MOSFET7.7总结表7.8组合电路7.9p沟道场效应管7.10小结习题第8章场效应管放大器8.1概述8.2场效应管的小信号模型8.3结型场效应管固定偏置的共源放大电路8.4结型场效应管自偏置的共源放大电路8.5结型场效应管分压偏置的共源放大电路8.6结型场效应管的源极跟随器(共漏极)电路8.7结型场效应管的共栅极电路8.8耗尽型MOSFET8.9增强型MOSFET8.10增强型MOSFET漏极反馈共源放大电路8.11增强型MOSFET分压偏置共源放大电路8.12总结表8.13RL和Rsig的影响8.14级联电路8.15小结习题第9章BJT和FET的频率响应9.1概述9.2一般的频率因素9.3低频分析——伯德图9.4低频响应——BJT放大器9.5低频响应——FET放大器9.6密勒效应电容或密勒电容9.7高频响应——BJT放大器9.8高频响应——FET放大器9.9多级频率响应9.10小结习题第10章运算放大器10.1概述10.2差分放大电路10.3差模和共模操作10.4BiFET, BiMOS和CMOS构成的差分放大电路10.5运算放大器基础10.6运算放大器参数——直流补偿参数10.7运算放大器参数——频率参数10.8运算放大器规格说明书10.9小结习题第11章运算放大器的应用11.1运算电路11.2有源滤波器11.3比较器应用11.4施密特触发器11.5小结习题第12章功率放大器12.1概述——功率放大器的定义与类型12.2串馈型甲类功率放大器12.3变压器耦合甲类功率放大器12.4乙类功率放大器的工作12.5乙类功率放大器12.6丙类和丁类功率放大器12.7小结习题第13章反馈电路13.1反馈的概念13.2反馈的组态类型13.3实用反馈电路13.4反馈放大器——相位和频率考虑13.5小结习题
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