半导体纳米线及其阵列可控生长和物性研究
出版时间：2012年
内容简介
《半导体纳米线及其阵列可控生长和物性研究》由周庆涛著，近年来， 一维纳米结构，例如纳米管、纳米线、纳米带以及纳米同轴电缆 等，引起了人们广泛的研究，不仅是因为它们是研究尺度和维度决定的物理 和化学性质的理想体系，而且它们在未来纳米器件中有着重要的潜在应用。
虽然一维纳米材料的研究已经取得了长足进步，在短短的十几年间就完成 了由材料制备向原型器件的跨越，但值得注意的是，如何在形貌、排列、成 分、结构以及性质上可控制备一维纳米材料，依然是一个很大的挑战，而一 维纳米材料的可控制备是其应用于纳米器件的前提和基础。围绕着一维纳 米材料的可控合成及其物性，《半导体纳米线及其阵列可控生长和物性研究 》开展了一系列的研究工作。
目 录
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 纳米材料的内涵与性质
1.2.1 纳米材料的概念
1.2.2 纳米材料的特性
1.3 一维纳米材料的研究进展和发展趋势
1.3.1 一维纳米材料的合成制备
1.3.2 一维纳米材料制备的发展趋势
1.3.3 一维纳米材料物性研究进展
1.4 本文选题背景与研究内容
第2章 氧化硅纳米线阵列的合成及其发光性能研究
2.1 引言
2.2 实验装置和制备方法
2.3 SiOx纳米线阵列的制备、表征及发光性能研究
2.3.1 实验过程和测试
2.3.2 实验结果与讨论
2.4 本章小结
第3章 三维球形CdS纳米锥阵列的合成及其结构和发光性能研究
3.1 引言
3.2 实验过程与表征
3.2.1 三维球状CdS纳米锥阵列的制备过程
3.2.2 三维球状CdS纳米锥阵列的表征与测试
3.3 实验结果与分析
3.3.1 三维CdS纳米锥球形阵列的形貌
3.3.2 三维CdS纳米锥球形阵列的结构与成分
3.3.3 三维CdS纳米锥球形阵列的生长机制
3.3.4 三维CdS纳米锥球形阵列的发光特性
3.4 本章小结
第4章 铜及其合金衬底上生长二元氮化物纳米线有序结构
4.1 引言
4.2 铜和铜一铟合金衬底上生长GaN微米纳米锥束
4.2.1 引言
4.2.2 实验过程与表征
4.2.3 实验结果和分析
4.3 铜衬底上生长有序GaN纳米线
4.3.1 实验过程
4.3.2 实验结果与讨论
4.4 铜衬底上定位生长有序InN纳米棒阵列
4.4.1 实验过程
4.4.2 实验结果与分析
4.5 本章小结
第5章 Ga催化生长三元合金Si—ZnS纳米线及其发光性质
5.1 引言
5.2 实验过程和测试
5.2.1 三元Si—ZnS纳米线的制备过程
5.2.2 三元Si—ZnS纳米线的表征测试
5.3 实验结果与分析
5.3.1 三元合金Si—ZnS纳米线的形貌
5.3.2 三元合金Si—ZnS纳米线的结构与成分
5.3.3 三元合金Si—ZnS纳米线的微观结构与成分
5.3.4 三元合金Si—ZnS纳米线的生长机制
5.3.5 三元合金Si—ZnS纳米线的发光性能
5.4 本章小结
第6章 芯一壳异质纳米线的制备、表征和生长机理研究
6.1 引言
6.2 Cu—SiO2芯一壳纳米线
6.2.1 引言
6.2.2 实验过程与测试
6.2.3 实验结果与分析
6.2.4 Cu—Si02纳米电缆的生长机制
6.3 ZnS—CuS芯一壳纳米线
6.3.1 引言
6.3.2 实验过程与测试
6.3.3 实验结果与分析
6.3.4 ZnS—CuS芯一壳纳米线的生长机制
6.4 本章小结
第7章 总结与展望
7.1 本文主要研究内容
7.2 展望
