半导体材料测试与分析
出版时间：2010年版
丛编项： 半导体科学与技术丛书
内容简介
《半导体材料测试与分析》主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容：包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微波光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子湮没、荧光光谱、紫外-可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和C-V等测试分析技术。半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。《半导体材料测试与分析》可供大专院校的半导体物理、材料与器件、材料科学与工程和太阳能光伏等专业的高年级学生、研究生和教师作教学用书或参考书，也可供从事相关研究和开发的科技工作者和企业工程师参考。
目录
前言
第1章 电阻率测试
1.1 探针法
1.1.1 半导体材料的电阻率和载流子浓度
1.1.2 探针法测试电阻率的基本原理
1.1.3 四探针法的测试设备
1.1.4 样品制备及测试过程注意事项
1.1.5 四探针测试的应用和实例
1.2 无接触法
1.2.1 无接触法测试原理
1.2.2 无接触式涡流法测试设备
1.2.3 样品制备及测试过程注意事项
1.2.4 无接触测试的应用和实例
参考文献
第2章 扩展电阻测试
2.1 扩展电阻测试的基本原理
2.1.1 单探针结构扩展电阻的测试原理
2.1.2 二探针和三探针结构的测试原理
2.1.3 三种探针结构形式的比较
2.2 扩展电阻测试系统
2.3 扩展电阻测试的样品
2.3.1 扩展电阻法样品的磨角
2.3.2 扩展电阻法样品的制备
2.4 扩展电阻测试的影响因素
2.4.1 扩展电阻法测量过程中应注意的问题
2.4.2 扩展电阻法测量浅结器件结深和杂质分布时应注意的问题
2.5 扩展电阻测试的应用和实例
2.5.1 硅晶体电阻率微观均匀性的测量
2.5.2 硅晶体中氧浓度及其分布的测量
2.5.3 硅晶体离子注入层的测试
2.5.4 硅外延层厚度和载流子浓度的测试
2.5.5 硅pn结和器件结构的测试
2.5.6 硅晶体中杂质扩散特性的测试
参考文献
第3章 少数载流子寿命测试
3.1 少数载流子的寿命
3.1.1 非平衡载流子的产生
3.1.2 非平衡载流子寿命
3.2 少数载流子寿命测试的基本原理和技术
3.2.1 少数载流子寿命的测试
3.2.2 直流光电导衰退法
3.2.3 高频光电导衰退法
3.2.4 表面光电压法
3.2.5 少子脉冲漂移法
3.3 微波光电导衰退法
3.3.1 微波光电导测试基本原理
3.3.2 微波光电导测试系统和设备
3.3.3 微波光电导测试样品
3.3.4 微波光电导测试影响因素
3.3.5 微波光电导测试的应用和实例
参考文献
第4章 少数载流子扩散长度测试
4.1 表面光电压测试原理
4.1.1 古德曼关系
4.1.2 少子扩散长度
4.1.3 理论修正
4.2 表面光电压测试系统
4.3 表面光电压测试样品和测试工艺
4.3.1 测试样品
4.3.2 测试工艺
4.4 表面光电压测试影响因素
4.4.1 吸收系数
4.4.2 反射率
4.4.3 探针及光斑直径
4.4.4 温度
4.4.5 表向复合
4.4.6 陷阱
4.4.7 扫描方式
4.5 表面光电压测试的应用和实例
4.5.1 硅片中的Fe浓度测试
4.5.2 多晶硅薄膜性能表征
4.5.3 化合物半导体InP性能表征
参考文献
第5章 霍尔效应测试
5.1 霍尔效应的基本理论
5.1.1 霍尔效应的基本原理
5.1.2 范德堡测试技术
5.2 霍尔效应的测试系统
5.2.1 霍尔效应测试仪的结构
5.2.2 霍尔效应仪的灵敏度
5.3 霍尔效应的样品和测试
5.3.1 霍尔效应测试的样品结构
5.3.2 霍尔效应测试的测准条件
5.3.3 霍尔效应测试步骤
5.4 霍尔效应测试的应用和实例
5.4.1 硅的杂质补偿度测量
5.4.2 znO的载流子浓度、迁移率和补偿度测量
5.4.3 硅超浅结中载流子浓度的深度分布测量
参考文献
第6章 红外光谱测试
6.1 红外光谱测试原理
6.1.1 红外光谱测试的基本分类
6.1.2 傅里叶变换红外光谱测试的基本原理
6.1.3 傅里叶变换红外光谱测试的特点
6.2 傅里叶变换红外光谱的测试系统
6.3 红外光谱测试的样品和影响因素
6.3.1 测试样品制备
6.3.2 测试影响因素
6.4 傅里叶红外光谱的应用和实例
6.4.1 硅晶体中杂质和缺陷的测量
6.4.2 砷化镓中杂质和缺陷的测量
6.4.3 锗中杂质的测量
6.4.4 氮化镓中杂质的测量
参考文献
第7章 深能级瞬态谱测试
7.1 深能级瞬态谱测试的基本原理
7.1.1 陷阱中心的基本电学性质
7.1.2 陷阱对自由载流子的俘获和发射
7.1.3 陷阱中心引起的电容瞬态变化
7.2 深能级瞬态谱测试技术
7.2.1 Boxcar技术
7.2.2 双脉冲Boxcar技术
7.2.3 Lock-in技术
7.2.4 CC-DLTS技术
7.2.5 傅里叶变换DLTS技术
7.2.6 Laplace转换的DLTS技术
7.2.7 光生电导DLTS技术
7.2.8 扫描DLTS技术
7.3 深能级瞬态谱测试信号的分析
7.3.1 俘获截面和能级位置的测量
7.3.2 陷阱深度分布的测量
7.3.3 电场效应和德拜效应的测量
7.3.4 扩展缺陷的DLTS谱特征
7.4 深能级瞬态谱测试系统及品质因子
7.4.1 DLTS测试系统
7.4.2 DLTS测试系统的品质因子
7.5 深能级瞬态谱测试样品
7.5.1 DLTS样品要求
7.5.2 欧姆接触
7.5.3 肖特基接触
7.6 深能级瞬态谱测试的应用和实例
7.6.1 GAAS薄膜缺陷的测量
7.6.2 硅晶体点缺陷的测量
7.6.3 硅晶体金属杂质的测量
7.6.4 硅晶体位错和氧化诱生层错的测量
……
第8章 正电子湮没谱测试
第9章 光致荧光谱测试
第10章 紫外-可见吸收光谱测试
第11章 电子束诱生电流测试
第12章 I-V和C-V测试
参考文献
