模拟电子技术（修订版）
作 者： 元增民 编著
出版时间：2013
丛编项： 全国普通高校电子信息与电气学科基础规划教材
内容简介
本书主要介绍BJT和FET两种半导体器件，包括放大、反馈、滤波、振荡四大模块。《模拟电子技术（修订版）/全国普通高校电子信息与电气学科基础规划教材》特点是层次清晰重点突出，如工作点分为内涵与外延；有来有去逻辑性强，如根据输出电压摆幅最大要求寻求临界工作点；分析计算力求定量，如对工作点稳定性的分析一改历来的定性分析，实现定量设计；电路分析透彻周到，如对放大器的——参数九指标分析计算齐全；详略得当深浅有序，如介绍三极管时，以讲透三极管三特性为宜，如介绍集成放大器工作原理时，以讲清三项关键技术——差分放大、电流镜和有源负载技术为宜；连接孤岛融会贯通，如根据方波的梯形畸变来计算运放芯片的压摆率；抓住要害有的放矢，如针对削平失真、上半部分矮胖下半部分瘦长非线性失真及交越失真三大几何失真进行放大器、振荡器的设计。
目录
第一版前言
第二版前言
主要符号表
绪论
第1章 晶体管
1.1 半导体PN结与晶体二极管数理模型
1.1.1 半导体
1.1.2 PN结的扩散势及其内电场
1.1.3 PN结（二极管）数理模型
1.2 晶体二极管种类、参数及应用
1.3 晶体三极管原理及数理模型
1.3.1 背靠背的PN结——三极管工作原理
1.3.2 三极管三特性
1.3.3 三极管数理模型
1.4 三极管的技术参数及测试应用
1.4.1 三极管的技术参数
1.4.2 三极管的测试鉴别
1.4.3 三极管的产品形态
1.4.4 三极管的封装应用
本章小结
习题1
第2章 场效管
2.1 结型场效管（JFET）
2.1.1 JFET的工作原理
2.1.2 JFET的传输特性
2.1.3 JFET的输出特性
2.1.4 JFET的数理模型及技术参数
2.2 金属氧化物半导体场效管（MOSFET）
2.2.1 金属氧化物半导体场效管
2.2.2 各种FET及其与BJT的综合对比
本章小结
习题2
第3章 晶体管基本放大电路
3.1 基本共射放大器的工作原理
3.1.1 用直流器件放大交流信号的原理
3.1.2 基极偏置电阻与削波失真
3.1.3 临界工作点与输出范围
3.2 基本共射放大器元器件的功耗与电路效率
3.3 基本共射放大器的频率特性函数与交流参数
3.4 基本共射放大器的频率特性
3.4.1 单位频率特性函数
3.4.2 频带参数与耦合电容
3.4.3 对数频率特性——波德图
3.5 分压偏置共射放大电路的工作原理
3.5.1 临界工作点及极限参数分析计算与实验
3.5.2 频率特性函数与交流参数
3.6 分压偏置放大器工作点的稳定性分析与设计
3.6.1 工作点影响因子与温度系数
3.6.2 基极偏置电阻的设计计算与实验
3.7 共集放大器（射极输出器，电压跟随器）
3.7.1 工作点及其稳定效果
3.7.2 频率特性及交流参数
3.8 共基放大电路（电流跟随器）
3.8.1 直流通路及交流通路
3.8.2 技术参数分析计算与实验
3.8.3 输出幅度定理及其应用
3.9 放大器工作点及输出范围的图解分析
3.9.1 基本共射放大器与射随器的图解分析
3.9.2 分压偏置放大器的图解分析
3.9.3 共基放大电路的图解分析
本章小结
习题3
第4章 场效管基本放大电路
4.1 栅极无偏置共源放大器
4.1.1 漏极偏置电阻与输出范围
4.1.2 交流参数
……
第5章 多级放大器及功率放大器
第6章 差分放大与集成放大电路
第7章 反馈原理
第8章 集成运算放大器的应用
第9章 振荡电路
第10章 直流稳压电源
第11章 模拟电子技术实验
附录A 常用元器件识别及仪器仪表操作要领
附录B 公式推导及微分方程列解过程
附录C 多功能电子电路仿真平台Multisim应用入门
部分习题参考答案
参考文献
