模拟CMOS集成电路设计（简编版）
作 者： （美）拉扎维 著，陈贵灿，程军，张瑞智 译
出版时间：2013
丛编项： 国外名校最新教材精选
内容简介
本书是在拉扎维原著《模拟CMOS集成电路设计》基础上，为满足一些高校不同的教学要求和教学时数的需要，删减部分章节重新编排而成。全书11章，主要介绍MOS器件的基本物理原理和工作原理；单级和差动级放大器以及电流镜；频率响应；运放设计及稳定性；带隙基准与开关电容电路；版图与封装。本书是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。适合学时较少的与集成电路领域有关的各电类专业高年级本科生使用，也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。
目录
简编版前言
原书作者简介
原书中文版前言（中英文）
译者序
原书序
致谢
第1章 模拟电路设计绪论
1.1 研究模拟电路的重要性
1.2 研究模拟集成电路的重要性
1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1.4 本书的特点
1.5 电路设计的一般概念
1.5.1 抽象级别
1.5.2 鲁棒模拟电路设计
1.5.3 符号 简编版前言 原书作者简介 原书中文版前言（中英文） 译者序 原书序 致谢 第1章 模拟电路设计绪论 1.1 研究模拟电路的重要性 1.2 研究模拟集成电路的重要性 1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性 1.4 本书的特点 1.5 电路设计的一般概念 1.5.1 抽象级别 1.5.2 鲁棒模拟电路设计 1.5.3 符号 第2章 MOS器件物理基础 2.1 基本概念 2.1.1 MOSFET开关 2.1.2 MOSFET的结构 2.1.3 MOS符号 2.2 MOS的I/V特性 2.2.1 阈值电压 2.2.2 I/V特性的推导 2.3 二级效应 2.4 MOS器件模型 2.4.1 MOS器件版图 2.4.2 MOS器件电容 2.4.3 MOS小信号模型 2.4.4 MOS SPICE 模型 2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较 2.4.6 长沟道器件与短沟道器件的比较 附录A：用作电容器的MOS器件的特性 习题 第3章 单级放大器 3.1 基本概念 3.2 共源级 3.2.1 采用电阻负载的共源级 3.2.2 采用二极管连接的负载的共源级 3.2.3 采用电流源负载的共源级 3.2.4 工作在线性区的MOS为负载的共源级 3.2.5 带源极负反馈的共源级 3.3 源跟随器 3.4 共栅级 3.5 共源共栅级 3.5.1 折叠式共源共栅 3.6 器件模型的选择 习题 第4章 差动放大器 4.1 单端与差动的工作方式 4.2 基本差动对 4.2.1 定性分析 4.2.2 定量分析 4.3 共模响应 4.4 MOS为负载的差动对 4.5 吉尔伯特单元 习题 第5章 无源与有源电流镜 5.1 基本电流镜 5.2 共源共栅电流镜 5.3 有源电流镜 5.3.1 大信号分析 5.3.2 小信号分析 5.3.3 共模特性 习题 第6章 放大器的频率特性 6.1 概述 6.1.1 密勒效应 6.1.2 极点与结点的关联 6.2 共源级 6.3 源跟随器 6.4 共栅级 6.5 共源共栅级 6.6 差动对 附录A：密勒定理的对偶 习题 第7章 运算放大器 7.1 概述 7.1.1 性能参数 7.2 一级运放 7.3 两级运放 7.4 增益的提高 7.5 性能比较 7.6 共模反馈 7.7 输入范围限制 7.8 转换速率 7.9 电源抑制 7.10 运放的噪声 习题 第8章 稳定性与频率补偿 8.1 概述 8.2 多极点系统 8.3 相位裕度 8.4 频率补偿 8.5 两级运放的补偿 8.5.1 两级运放中的转换 8.6 其它补偿技术 习题 第9章 带隙基准 9.1 概述 9.2 与电源无关的偏置 9.3 与温度无关的基准 9.3.1 负温度系数电压 9.3.2 正温度系数电压 9.3.3 带隙基准 9.4 PTAT 电流的产生 9.5 恒定Gm偏置 9.6 速度与噪声问题 9.7 实例分析 习题 第10章 开关电容电路导论 10.1 概述 10.2 采样开关 10.2.1 MOSFETs开关 10.2.2 速度问题 10.2.3 精度问题 10.2.4 电荷注入抵消 10.3 开关电容放大器 10.3.1 单位增益采样器／缓冲器 10.3.2 同相放大器 10.3.3 精确乘2电路 10.4 开关电容积分器 10.5 开关电容共模反馈 习题 第11章 版图与封装 11.1 版图概述 11.1.1 设计规则 11.1.2 天线效应 11.2 模拟电路的版图技术 11.2.1 叉指晶体管 11.2.2 对称性 11.2.3 参考源的分布 11.2.4 无源器件 11.2.5 连线 11.2.6 焊盘与静电放电保护 11.3 衬底耦合 11.4 封装 习题 原书英汉词汇对照
