微电子器件基础 第二版
作 者： 兰慕杰，来逢昌 主编
出版时间： 2013
内容简介
兰慕杰、来逢昌主编的《微电子器件基础》是哈尔滨工业大学“国家集成电路人才培养基地”教学建设成果。本书重点介绍p-n结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的基本结构、工作原理、直流特性、频率特性、功率 特性和开关特性，以及描述这些特性的有关参数；简要介绍晶闸管、异质结双极晶体管、静电感应晶体管、绝缘栅双极晶体管、单结晶体管、双极反型 沟道场效应晶体管和穿通型晶体管等微电子器件的基本概念、结构和工作原理。本书配有PPT等教学资源。 《微电子器件基础》可作为普通高等学校电子科学与技术、集成电路设计、微电子学等专业本科生相关课程的教材，也可供相关专业本科生、研究 生以及从事微电子技术相关工作的科研及工程技术人员阅读参考。
目录
第1章 p-n结二极管 1.1 p-n结的形成及平衡状态 1.1.1 p-n结的形成与空间电荷区 1.1.2 平衡p-n结的能带图与势垒高度 1.2 p-n结的直流特性 1.2.1 正向p-n结 1.2.2 反向p-n结 1.2.3 温度对p-n结电流和电压的影响 1.3 p-n结空间电荷区和势垒电容 1.3.1 p-n结空间电荷区的电场和电位分布 1.3.2 p-n结势垒电容 1.4 p-n结的小信号交流特性 1.4.1 p-n结小信号交流电流-电压方程 1.4.2 p-n结的小信号交流导纳 1.4.3 p-n结扩散电容 1.5 p-n结的击穿特性 1.5.1 p-n结击穿机理 1.5.2 雪崩击穿条件 1.5.3 雪崩击穿电压及其影响因素 1.5.4 击穿现象的应用——稳压二极管 1.6 p-n结二极管的开关特性 1.7 p-n结二极管的其他类型 1.7.1 反向电阻阶跃恢复二极管 1.7.2 超高频二极管 1.7.3 钳位二极管 1.7.4 噪声二极管 1.7.5 雪崩渡越二极管 1.7.6 隧道二极管 1.7.7 反向二极管 思考与练习第2章 双极型晶体管的直流特性 2.1 晶体管的基本结构和杂质分布 2.1.1 晶体管的基本结构 2.1.2 杂质分布 2.2 晶体管的放大机理 2.2.1 晶体管的能带图及少子分布 2.2.2 晶体管中的电流传输过程及放大作用 2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益 2.3.1 均匀基区晶体管（以npn管为例） 2.3.2 缓变基区晶体管（以npn管为例） 2.3.3 影响电流放大系数的其他因素 2.4 晶体管的反向电流及击穿电压 2.4.1 晶体管的反向电流 2.4.2 晶体管的击穿电压 2.5 双极型晶体管的直流特性曲线 2.5.1 共基极直流特性曲线 2.5.2 共发射极直流特性曲线 2.6 基极电阻 2.6.1 概述 2.6.2 梳状结构晶体管的基极电阻 2.7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll）模型 思考与练习第3章 双极型晶体管的频率特性 3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数 3.2 晶体管交流特性的理论分析 3.2.1 均匀基区晶体管交流特性分析 3.2.2 缓变基区晶体管交流特性分析 3.3 晶体管的高频参数及等效电路 3.3.1 晶体管高频Y参数及其等效电路 3.3.2 晶体管高频h参数及等效电路 3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数 3.4.1 发射效率及发射结延迟时间 3.4.2 基区输运系数及基区渡越时间 3.4.3 集电结势垒输运系数及渡越时间 3.4.4 集电区倍增因子与集电极延迟时间 3.5 晶体管电流放大系数的频率关系 3.5.1 共基极电流放大系数及其截止频率 3.5.2 共发射极电流放大系数及其截止频率 3.5.3 影响fT的因素和提高fT的途径 3.6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率 3.6.1 最佳高频功率增益 3.6.2 高频优值和最高振荡频率 3.6.3 提高功率增益或最高振荡频率的途径 3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响 3.7.1 工作点对fT的影响 3.7.2 工作点对Kpm的影响 思考与练习第4章 双极型晶体管的功率特性 4.1 集电极最大允许工作电流ICM
