模拟电路的ESD设计
作 者： （美）瓦西琴柯，（美）西布柯夫 著，刘忠立 等译
出版时间： 2014
内容简介
《模拟电路的ESD设计》首先介绍半导体结构、集成标准及ESD器件、ESD箝位设计原理以及ESD防护网络设计原理，在此基础上介绍单通道模拟集成电路的ESD保护以及电源管理模拟集成电路的ESD保护，最后介绍系统的ESD保护以及系统对分立元件的ESD要求。瓦西琴柯、西布柯夫译著的《模拟电路的ESD设计》的目的，是帮助本领域的工作者们处理每天专业工作中遇到的模拟ESD设计问题，并在所有层面解决问题——从器件级ESD到集成自保护解决方案的实现。本书不仅用重要的实践经验和技术知识来“武装”读者，而且增加了仿真体验，这些体验可以使读者借助Angstrom公司的混合仿真软件DECIMMTM的简化版作进一步的发展。
目录
第1章 引言
1.1 ESD软件工具Prism中的模拟及数字部分的内容
1.2 重要的定义
1.2.1 ESD保护网络
1.2.2 ESD箝位
1.2.3 最大限制的绝对值及脉冲SOA
1.2.4 ESD脉冲技术指标
1.2.5 击穿及不稳定性
引言的DECIMM TM仿真例子
第2章 击穿及注入情形下半导体结构中的电导调制
2.1 重要的定义及限制
2.1.1 基本的半导体结构
2.1.2 电导调制及负微分电阻
2.1.3 空间电流的不稳定性、丝状电流形成及抑制
2.1.4 快返回工作
2.1.5 本章内容的方法要点
2.2 反向偏置p-n结的雪崩击穿
2 2.1 雪崩击穿现象的解析描述
2.2.2 p+一p-n结构中雪崩击穿的数值分析
2.3 p-i-n结构中的双雪崩注入
2.3.1 效应的解析描述
2 3.2 p-i-n二极管结构的解析描述
2.4 si n+一n-n+二极管结构中的雪崩注人
2.4.1 解析方法
2.4.2 仿真分析
2.5 n-p-n二极管结构中电导调制的不稳定性
2.5.1 浮置基区中的电导调制：=极管I作模式
2.6 三极管n-p-n结构中的电导调制
2.6.1 基极接地UEB=O（BVCES）时的击穿
2.6.2 发射极浮置IE=0时的情形
2.6.3 共发射极电路IB
