VLSI设计基础 第三版
作 者： 李伟华
出版时间： 2013
内容简介
本教材为“普通高等教育‘十一五’国家级规划教材”，全书共有10章。第1~3章重点介绍了VLSI设计的大基础，包括三个主要部分：信息接收、传输、处理体系结构及与相关硬件的关系； MOS器件、工艺、版图等共性基础，以及设计与工艺接口技术、规范与应用。第4~6章介绍了数字VLSI设计的技术与方法，其中第6章以微处理器为对象，综合介绍了数字系统设计方法的具体应用。第7章介绍了数字系统的测试问题和可测试性设计技术。第8章介绍了VLSIC中的模拟单元和变换电路的设计技术。第9章介绍了微机电系统（MEMS）及其在系统集成中的关键技术。第10章主要介绍了设计系统、HDL，对可制造性设计（DFM）的一些特殊问题进行了讨论。本书可作为高等学校电类专业本科生“VLSI设计技术基础”课程教材，注重相关理论的结论和知识的应用，内容深入浅出。本教材也可作为微电子专业硕士研究生VLSI系统设计技术的参考书。同时，因本教材中涉及了较多的工程设计技术，也可供有关专业的工程技术人员参考。
目 录
第1章 VLSI设计概述
1.1 系统及系统集成
1.1.1 信息链
1.1.2 模块与硬件
1.1.3 系统集成
1.2 VLSI设计方法与管理
1.2.1 设计层次与设计方法
1.2.2 复杂性管理
1.2.3 版图设计理念
1.3 VLSI设计技术基础与主流制造技术
1.4 新技术对VLSI的贡献
1.5 设计问题与设计工具
1.6 一些术语与概念
1.7 本书主要内容与学习方法指导
练习与思考一
第2章 MOS器件与工艺基础
2.1 MOS晶体管基础
2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理
2.1.2 MOS晶体管的阈值电压VT
2.1.3 MOS晶体管的电流—电压方程
2.1.4 MOS器件的平方律转移特性
2.1.5 MOS晶体管的跨导gm
2.1.6 MOS器件的直流导通电阻
2.1.7 MOS器件的交流电阻
2.1.8 MOS器件的最高工作频率
2.1.9 MOS器件的衬底偏置效应
2.1.10 CMOS结构
2.2 CMOS逻辑部件
2.2.1 CMOS倒相器设计
2.2.2 CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法
2.2.3 其他CMOS逻辑门
2.2.4 D触发器
2.2.5 内部信号的分布式驱动结构
2.3 MOS集成电路工艺基础
2.3.1 基本的集成电路加工工艺
2.3.2 CMOS工艺简化流程
2.3.3 Bi?CMOS工艺技术
2.4 版图设计
2.4.1 简单MOSFET版图
2.4.2 大尺寸MOSFET的版图设计
2.4.3 失配与匹配设计
2.5 发展的MOS器件技术
2.5.1 物理效应对器件特性的影响
2.5.2 材料技术
2.5.3 器件结构
练习与思考二
第3章 设计与工艺接口
3.1 设计与工艺接口问题
3.1.1 基本问题——工艺线选择
3.1.2 设计的困惑
3.1.3 设计与工艺接口
3.2 工艺抽象
3.2.1 工艺对设计的制约
3.2.2 工艺抽象
3.3 电学设计规则
3.3.1 电学规则的一般描述
3.3.2 器件模型参数
3.3.3 模型参数的离散及仿真方法
