碳纳米管 硅巢状阵列的制备及物性研究
作者：姜卫粉 著
出版时间：2016年版
内容简介
姜卫粉所*的《碳纳米管硅巢状阵列的制备及物 性研究》采用一种独特的、具有微米纳米复合结构的 硅纳米孔柱阵列为基底，采用化学气相沉积技术制备 出具有微纳复合结构的巢状阵列结构薄膜，然后分别 从碳纳米管／硅巢状阵列的生长工艺、浮动催化裂解 法制备碳纳米管的生长机理、场致发射性能优化、电 阻型与电容型湿度传感器性能的改善、表面增强拉曼 散射性能几方面进行了较为深入的研究。
本书对这种纳米薄膜材料的研究比较系统、性能 比较全面、所得结论比较深刻，适于作为研究生的教 学参考书，有助于他们在学习纳米薄膜材料的过程中 掌握基本原理和实验方法，也可供从事相关领域研究 的科研人员参考。
目 录
前言
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 CNTs的结构及性能
1.3 CNTs薄膜的制备
1.3.1 移植法制备CNTs薄膜
1.3.2 直接生长法制备CNTs薄膜
1.4 CNTs的生长机理
1.5 CNTs薄膜的应用研究
1.5.1 CNTs的场致发射
1.5.2 CNTs的传感性能
1.6 硅纳米孔柱阵列
1.6.1 Si—NPA的制备
1.6.2 Si—NPA的结构与表面形貌
1.6.3 Si—NPA的场致发射及湿敏性能
1.6.4 Si-NPA酒敏性能研究
1.6.5 Si—NPA存在的问题
1.7 本书研究的内容
第2章 NACNT／Si—NPA的制备及生长机理
2.1 引言
2.2 NACNT／Si-NPA的制备、表面形貌和结构表征及成分分析
2.2.1 NACNT／Si—NPA的制备
2.2.2 不同沉积时间的NACNT／Si—NPA形貌结构及成分表征
2.2.3 不同沉积温度对NACNT／Si—NPA形貌的影响
2.3 NACNT／Si—NPA形成机理
2.3.1 无金属催化剂在Si-NPA上生长CNTs的形成机理
2.3.2 在Si—NPA衬底上预沉积催化剂的CNTs生长机理
2.3.3 NACNT／S卜NPA浮动催化生长过程机理分析
2.4 本章小结
第3章 NACNT／Si—NPA的场致发射性能
3.1 引言
3.2 电子发射基本原理
3.2.1 场致电子发射基本原理
3.2.2 场致发射性能评价指标及可采取的优化措施
3.3 NACNT／Si—NPA的场致电子发射
3.3.1 场致发射测试
3.3.2 不同温度制备的NACNT／Si—NPA的场致发射性能
3.3.3 极限场强测试
3.3.4 NACNT／Si—NPA尚未解决的问题
3.4 本章小结
第4章 NACNT／Si-NPA湿敏性能研究
4.1 引言
4.2 湿敏测试试验设计
4.2.1 湿度标定系统的设计
4.2.2 湿度信号的检测
4.2.3 湿度传感器的特征参数
4.3 电阻式NACNT／Si-NPA湿敏元件性能测试及分析
4.3.1 电阻式NACNT／Si-NPA湿敏元件的制作
4.3.2 湿敏元件感湿特性的测试
4.4 电容式NACNT／Si-NPA湿敏元件性能测试及分析
4.4.1 湿敏元件的制备及其形貌和结构表征
4.4.2 Si-NPA及NACNT／Si-NPA电容湿敏性能测试及分析
4.5 本章小结
第5章 Au／NACNT／Si-NPA的SERS效应研究
5.1 引言
5.2 SERS增强原理、应用及活性基底研究进展
5.2.1 拉曼散射与SERS
5.2.2 SERS增强原理
5.2.3 SERS光谱的分析
5.2.4 sERs在生命科学中的应用
5.2.5 SERS活性基底
5.3 Au／NACNT的SERS性能研究
5.3.1 Au／NACNT的制备及SERS性能测试
5.3.2 Au／NACNT的形貌结构及性能
5.4 结论
参考文献
