新型功能化低维材料的电子性质
作者： 琚伟伟，李同伟 著
出版时间： 2016年版
内容简介
本书是作者近年来在对新型低维材料的电子结构、磁特性及相变的研究基础上撰写而成的，系统地介绍了应力、吸附、掺杂等调控方法对几种典型低维材料的电子性质及磁性的影响。全书共8章，第1、2章介绍了相关材料的研究背景及理论方法，第3章介绍了磷烯在应力作用下电子结构的变化，第4、5章介绍了杂质原子吸附对硅烯电学和磁学性质的影响，第6～8章研究了不同种类的吸附物质对二硫化钼性质的影响。本书可供相关低维材料领域的科技工作者参考，也可作为高等院校相关专业的本科生和研究生的参考书。
目录
第1章 绪论\t1
1．1 石墨烯的研究进展\t1
1．1．1 石墨烯的诞生\t1
1．1．2 石墨烯的奇特电子结构\t1
1．1．3 石墨烯纳米带\t3
1．1．4 氢化石墨烯的电子性质\t5
1．2 二维过渡金属硫属化合物简介\t8
1．2．1 单层过渡金属硫属化合物（TMDs）的种类\t8
1．2．2 单层过渡金属硫属化合物（TMDs）的性质\t9
1．3 硅烯的研究进展\t10
1．4 磷烯的研究进展\t11
1．5 其他二维纳米材料\t12
1．5．1 二维氮化硼的基本性质\t12
1．5．2 氧化锌的基本性质\t13
参考文献\t13
第2章 理论方法\t19
2．1 能带理论的三大近似\t19
2．1．1 绝热近似\t19
2．1．2 单电子近似与密度泛函理论\t20
2．1．3 交换关联泛函的简化\t22
2．1．4 周期性势场近似及布洛赫定理\t23
2．2 势与波函数的处理\t24
2．2．1 平面波方法\t25
2．2．2 原子轨道线性组合法\t26
2．2．3 赝势方法\t27
2．2．4 投影缀加波法\t28
2．3 Kohn-Sham方程的自洽求解\t28
参考文献\t29
第3章 应力作用下多层磷烯的相变\t33
3．1 概述\t33
3．2 平面双轴应力对多层磷烯的影响\t34
3．2．1 计算方法和模型\t34
3．2．2 结果和讨论\t35
3．3 垂直压缩应力对多层磷烯的影响\t40
3．3．1 计算方法和模型\t40
3．3．2 结果和讨论\t40
参考文献\t44
第4章 吸附对硅烯电子性质的影响\t47
4．1 概述\t47
4．2 计算模型和方法\t48
4．3 不同浓度的吸附原子对硅烯的影响\t49
4．3．1 几何结构和稳定性\t49
4．3．2 电子结构和磁性\t50
4．3．3 轨道特征和杂化\t54
参考文献\t56
第5章 局部氢化硅烯中奇异的d0磁性\t61
5．1 概述\t61
5．2 计算模型和方法\t61
5．3 局部氢化硅烯的磁性及热稳定性\t63
5．3．1 奇异的d0磁性\t63
5．3．2 氢化硅烯的热稳定性\t67
5．3．3 关于氢化硅烯磁性的规律\t69
参考文献\t69
第6章 过渡金属原子的取代掺杂对单层MoS2性质的影响\t73
6．1 概述\t73
6．2 计算模型和方法\t74
6．3 TM-MoS2的性质研究\t75
6．4 O2吸附于TM-MoS2\t77
6．4．1 O2在Pt-、Pd-、Ni-MoS2表面的吸附\t78
6．4．2 O2在Ir-、Rh-、Co-MoS2表面的吸附\t80
6．4．3 O2在Au-、Ru-MoS2表面的吸附\t82
参考文献\t83
第7章 CO和NO吸附对金属元素掺杂的单层MoS2电子性质的影响\t89
7．1 概述\t89
7．2 计算模型和方法\t90
7．3 CO和NO吸附于金属掺杂的单层MoS2表面\t90
7．3．1 CO的吸附\t90
7．3．2 NO的吸附\t94
参考文献\t97
第8章 基于单层MoS2的甲醛气体检测器\t101
8．1 概述\t101
8．2 计算模型和方法\t102
8．3 Cl、P和Si原子掺杂的单层MoS2的性质研究\t102
8．4 甲醛分子在MoS2表面的吸附\t104
8．4．1 甲醛分子在纯净MoS2及Cl-MoS2表面的吸附\t104
8．4．2 甲醛分子在P-MoS2表面的吸附\t106
8．4．3 甲醛分子在Si-MoS2表面的吸附\t108
参考文献\t110
