硅灰石基LTCC陶瓷基板材料改性及介电机理
作 者： 何茗，慕东，黄嘉 著
出版时间： 2014
丛编项： 信息材料与应用技术丛书
内容简介
《硅灰石基LTCC陶瓷基板材料改性及介电机理》较为详细地介绍了硅灰石型玻璃陶瓷基板材料制备、对硅灰石型玻璃陶瓷的结晶相和玻璃相进行了定量分析、建立主晶相硅灰石（β-CaSiO3）的介电模型，并着重讨论烧结温度对硅灰石介电性能的影响。根据广义等效介质方程，建立了β-CaSiO3、CaB2O4、SiO2和残余玻璃的复合介质模型，并讨论不同组分的β-CaSiO3所形成的复合材料的介电常数和损耗随温度的变化关系。并用实验结果对理论模型进行了修正。为基板材料的理论和实验相结合研究提供了一个典型的范例。
目 录
1 绪论
1.1 多芯片组件
1.2 低温共烧技术
1.2.1 LTCC的发展现状
1.2.2 LTCC的材料体系
1.3 硅灰石基LTCC基板材料
1.3.1 硅灰石概述
1.3.2 硅灰石基LTCC材料的实验研究状况
1.3.3 硅灰石基LTCC基板材料的理论研究状况
2 硅灰石基LTCC样本制备
2.1 引言
2.1.1 硅灰石晶体及玻璃陶瓷
2.1.2 硅灰石基LTCC常见制备方法
2.2 硅灰石基LTCC材料的制备
2.2.1 B系样本的配方设计
2.2.2 性能测试
2.2.3 结果与讨论
2.3 Zr掺杂的硅灰石基LTCC(Z系)的制备和性能分析
2.3.1 Zr掺杂的硅灰石基LTCC的制备
2.3.2 结果与讨论
2.4 Ti掺杂的硅灰石基LTCC(T系)的制备和性能研究
2.4.1 T系样本的制备
2.4.2 结果与讨论
3 硅灰石基LTCC材料的定量分析
3.1 引言
3.2 XRD测试过程
3.3 Rietveld全谱拟合结合体积加和法则进行定量分析
3.3.1 Rietveld全谱拟合分析方法与原理
3.3.2 结果与讨论
3.4 Rietveld全谱拟合法结合分峰法定量分析
3.4.1 分峰法计算原理
3.4.2 结晶峰与非结晶峰的分离
4 硅灰石晶体电子结构及介电性能第一性原理计算
4.1 引言
4.2 计算模型和方法
4.2.1 计算模型
4.2.2 计算方法
4.3 计算结果与讨论
4.3.1 晶体结构
4.3.2 电子结构
4.3.3 Mulliken电荷分布
4.3.4 光学吸收
4.3.5 复介电函数
4.3.6 折射率
4.4 小结
5 硅灰石介电机理
5.1 引言
5.2 硅灰石极化机制
5.2.1 电子位移极化率
5.2.2 离子位移极化率
5.2.3 热离子极化率
5.3 硅灰石静态介电常数的计算
5.3.1 硅灰石光频介电常数的计算及修正
5.3.2 静态介电常数的计算及修正
5.3.3 静态介电常数温度系数
5.4 交流介电常数
5.4.1 热离子活化能U和松弛时间γ
5.4.2 复介电常数的实部ε’和虚部ε”
5.5 硅灰石介电损耗
6 硼酸钙、石英晶体和残余玻璃的介电性能
6.1 硼酸钙晶体介电性能
6.1.1 硼酸钙晶体静态介电常数
6.1.2 硼酸钙晶体复介电常数
6.1.3 硼酸钙晶体的介电损耗
6.2 石英晶体介电性能
6.2.1 石英晶体介电常数
6.2.2 石英晶体损耗
6.3 无定形玻璃相的介电常数ε和介电损耗tanδ
7 硅灰石基LTCC材料的介电性能
7.1 复合材料的介电性能计算理论
7.2 硅灰石基LTCC材料的介电常数
参考文献
索引
