本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。
本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。
标准号：GB/T 1558-2023
标准名称：硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
英文名称：Test method for substitutional carbon content in silicon by infrared absorption
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
替代标准：GB/T 1558-2009
引用标准：GB/T 8170 GB/T 8322 GB/T 14264 GB/T 29057 GB/T 35306
起草人：李静 何烜坤 刘立娜 李素青 索开南 马春喜 薛心禄 张雪囡 张海英 孙韫哲 王彦君 沈益军 赵跃 王军锋 李兰兰 邹剑秋 徐顺波 李寿琴 张宝顺 刘国霞 徐岩 李明达 陆勇 皮坤林 杜伟华
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、青海芯测科技有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份公司、山东有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、中国计量科学研究院、有色金属技术经济研究院有限责任公司、开化县检验检测研究院、四川永祥新能源有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、浙江众晶电子有限公司、义乌力迈新材料有限公司、湖南三安半导体有限责任公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
