GB/T 40109-2021 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法

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语言：中文版
格式： PDF文档
类别：标准规范
更新日期：2022-01-02

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资源简介

GB∕T 40109-2021 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法
本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。

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